三星、美光等“掀桌子”！存储价格飙升背后，AI竟是最大推手？
发布时间：
2025-10-14 09:31:25
【导语】近期存储市场风云突变，美光、三星等巨头纷纷暂停报价、调涨价格，DRAM与NAND闪存价格大幅上扬，DDR4内存半年涨幅超200%，HDD、SSD等产品更是供不应求。这波涨价潮背后，是AI算力革命催生的“存力”刚需，与存储原厂战略转向引发的供给端“断层式”收缩。一场传统存储产业的深度调整与AI算力时代的产业链重构，已然拉开帷幕。
近期，存储市场风云变幻，新一轮的价格上涨浪潮汹涌而至。
美光科技暂停DDR4、DDR5报价，三星、SK海力士等行业巨头同步调整价格策略。目前，DRAM产品的涨幅普遍达15%-30%，NAND闪存价格亦上调5%-10%。从市场端看，DDR4内存半年累计涨幅超200%，而HDD、SSD、HBM等产品因AI需求爆发，出现了供不应求的局面。
存储市场涨价动态：报价暂停、价格骤升
9月初，NAND闪存原厂闪迪（Sandisk）率先宣布，将对所有渠道通路及消费类产品实施全面价格上调，涨幅为10%。随之，美光科技向客户发出通知，所有DDR4、DDR5等存储产品全部停止报价，报价暂停时间一周，且相关产品价格或将调涨20%-30%，其中汽车电子产品涨幅更高，预计达70%。
三星电子近期也向主要客户传达了涨价信息，表示将在第四季度上调产品合约交易价格，其中DRAM上涨15%-30%，NAND上涨5%-10%。同样有市场消息传出，SK海力士也将加入这波涨价行列。
此外，威刚、十铨等业内多家存储模组厂也决定暂停报价，打算待涨价行情更为明确时再敲定最终价格。其中，威刚方面表示，由于DRAM货源严重不足，公司须进一步管控库存和调整配售方式，因此目前暂停报价，预计将持续至10月中旬。
十铨则称，随着欧美消费性电子进入传统旺季，终端拉货动显著回升，加之上游原厂供给有限、库存去化速度过快，公司决定采取弹性销售策略，暂停对外报价。
针对这波涨价潮，多家国内存储产业链厂商也给出了各自的判断。江波龙在近日发布的投资者关系活动记录表中，被问及存储价格的涨幅时表示，根据CFM闪存市场预测，随着AI服务器出货规模持续扩大，下半年服务器NAND市场备货需求升温，四季度存储市场价格将迎来全面上涨。目前，公司企业级PCIe SSD与RDIMM产品已开始批量导入国内头部企业。截止至7月底，公司主控芯片全系列产品累计实现超过8000万颗的批量部署，且部署规模仍在保持快速增长。
北京君正(zhèng)认(rèn)为(wèi)，按(àn)照(zhào)市(shì)场(chǎng)一(yī)些(xiē)观(guān)点(diǎn)，涨(zhǎng)价(jià)周(zhōu)期(qī)可(kě)能(néng)会(huì)持(chí)续(xù)到(dào)明(míng)年(nián)。目(mù)前(qián)消(xiāo)费(fèi)市(shì)场(chǎng)更(gèng)为(wèi)明(míng)显(xiǎn)，行(xíng)业(yè)市(shì)场(chǎng)情(qíng)况(kuàng)稍微复杂一些，很多是长期合作的客户。对于长期合作的大客户，要综合考虑很多因素。总体上，公司会参考市场情况进行一些价格策略的调整。另外，公司目前DRAM产能能够满足需求，且之前也有一些备货，包括新制程的产品也提前下了一部分生产采购订单，因此目前满足供应需求是可控的。
兆易创新则提到，2024年及以前的利基DRAM市场主要由海外大厂主导，主要三大海外厂商占据了利基DRAM市场的主要份额。今年以来，行业供应格局出现了显著的变化，海外大厂把产能往包括DDR5在内的主流产品迁移，逐渐淡出了利基DRAM市场，使得行业出现明显的供应缺口。利基DRAM产品的价格从三月开始出现上涨，到第二季度出现了明显的上涨。公司利基DRAM产品线的毛利率也从第一季度开始爬升，目前爬升到两位数以上。在行业供不应求的状态下，兆易创新预计涨价趋势至少在下半年会得到延续。
涨价背后，到底谁在“搞事情”？
事实上，这轮存储产品价格的上涨并非短暂的市场波动，其背后折射出的是整个科技产业正经历的一场深度变革。AI产业需求的持续进阶，以及存储原厂战略方向的转变，正在共同重塑着存储市场的供需态势。
1.AI算力革命催生“存力”刚需
近年来，人工智能技术呈现出高速发展态势，尤其是大模型应用得到了广泛普及，全球数据中心正经历着前所未有的算力军备竞赛。但除了对算力的极致追求，在这场竞争中也引发了对“存力”的刚性需求。内存容量和带宽的大小，直接决定了AI模型的训练效率和规模上限。
众所周知，大模型的训练需要海量数据的支撑，其对数据存储的要求达到了前所未有的高度。以千亿参数模型为例，单次训练就需处理PB级(jí)的(de)数(shù)据(jù)量(liàng)，而(ér)传(chuán)统存储架构在(zài)此(cǐ)面(miàn)前(qián)力(lì)不(bù)从(cóng)心，其固有的IO路径冗长、并行处理能力低下等瓶颈，导致其难以满足PB级数据的高速读写需求。当高速的GPU计算单元需要频繁等待数据从慢速存储中加载时，便会造成严重的“算力空转”现象，极大拖累了整体训练效率。
除此之外，PB级的数据量要求存储系统具备极高的容量和灵活扩展能力。传统存储在扩容时，可能会面临硬件兼容性、数据迁移等一系列问题，难以快速满足大模型训练的动态需求。而且，在大规模分布式存储环境中，数据一致性维护难度极大，尤其是在多节点并行读写场景下，一旦出现数据丢失或数据不一致的情况，就可能影响模型训练结果的准确性。
根据美光数据显示，AI服务器对DRAM容量的需求是普通服务器的8倍，对NAND容量的需求则达到普通服务器的3倍。单台AI服务器存储需求更是高达2TB，远超传统服务器的配置标准。
在此背景下，AI的爆发对存储芯片的容量、速度、稳定性提出了更高的要求。摩根士丹利最新研报指出，AI模型的复杂度以及数据量呈现出爆炸式增长，这使得市场对高性能存储芯片的需求达到了前所未有的高度。
以OpenAI的“星际之门”计划为例，该项目与三星和SK海力士签署了一项协议，每月将获得高达90万片DRAM晶圆。仅这一项交易，就将占据全球DRAM产量的近40%。而这笔交易背后所反映的，是全球范围内对AI算力需求的爆炸式增长，同时也拉动了存储芯片市场的发展。
2.原厂战略转向引发供给端“断层式”收缩
另一方面，当传统DDR4市场已经“卷”成了红海，利润空间被不断压缩。在这样的背景下，存储原厂迫切需要探寻新的业务增长点，向具备更高技术含量与利润空间的高端产品线转型，成为其发展的必然战略方向。
DDR5作为新一代内存产品，实现了从底层架构设计到实际应用场景的全方位革新。由于其技术门槛更高，相应地其利润率也大幅高于DDR4。而且在AI算力爆发、数据吞吐量激增的当下，DDR5所具备的技术特性精准契合了产业对“存力”的核心诉求，这也成为三星、美光等原厂主动收缩DDR4产能、布局DDR5以谋求未来发展的关键因素。
相较于DDR4，DDR5在多个方面进行了显著优化，以更好地满足日益增长的高性能计算需求。据相关资料显示，DDR5的起始速率为3200MT/s，最高可达8400MT/s，这意味着其能够更快地加载和处理数据，有效缩短了系统的等待时间。
不仅如此，DDR5采用了先进的子通道架构设计，该设计极大提升了数据传输的效率，进一步增加了内存带宽，进而提升了整个系统的运行性能。在性能提升的同时，DDR5还将工作电压从DDR4的1.2V降低至1.1V，有效降低了功耗，减少了系统运行过程中的发热问题。此外，DDR5支持单根UDIMM（无缓冲双列直插式内存模块）最大128GB的容量，相比DDR4的内存容量提升了4倍，为高性能计算提供了更为强大的存储支持。
于是，存储行业出现了一个清晰的战略调整动向：三星、SK海力士、美光等原厂正将大量传统DRAM（尤其是DDR4）产能转向利润更高的DDR5和HBM。这一调整过程中，DDR4的产能被削减，甚至部分旧产线被停产。
然而，市场的需求是分层的。AI产业在疯狂抢购DDR5，但庞大的传统消费电子、PC和传统服务器市场，仍然需要大量的DDR4来支撑。这种供需结构的错位，造成了“供给减少，需求仍在”的经典局面。
在DDR5尚未全面普及并成为市场主流产品的过渡阶段，DDR4产品的供需缺口迅速扩大。根据市场供需基本规律，当供给无法满足需求时，产品价格必然上涨，因此DDR4价格飙升成为必然的市场结果。
写在最后
这轮存储涨价，既是一场传统存储产业的“出清式调整”，更是AI算力革命引发的“产业链重构”。AI时下，存储作为数字世界的基石，其重要性将愈发凸显。未来的科技竞争，不仅是算力的竞争，更是存力的竞争。而存储大涨只是一个开始，更大的变革还在后面。
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