三星电子计划投资 1.1 万亿韩元引进最新的 High-NA EUV 光刻机
发布时间：
2025-10-16 11:00:51
【导语】据《韩国经济日报》今日消息，三星电子拟投入约1.1万亿韩元（约合54.92亿元人民币）引入两台最新High-NA双级极紫外光刻机，其中年内一台、明年上半年一台，用于(yú)产(chǎn)品(pǐn)量(liàng)产(chǎn)。该(gāi)设(shè)备(bèi)为(wèi)Twin Scan EXE:5200B，可(kě)大(dà)幅(fú)提(tí)升(shēng)生(shēng)产(chǎn)效(xiào)率(lǜ)，助(zhù)力(lì)降(jiàng)低(dī)工(gōng)艺(yì)复(fù)杂(zá)性(xìng)、提(tí)高(gāo)晶(jīng)圆(yuán)产(chǎn)量(liàng)。
《韩(hán)国(guó)经(jīng)济(jì)日(rì)报(bào)》今(jīn)日(rì)报(bào)道(dào)称(chēng)，三(sān)星(xīng)电子计划投入约 1.1 万亿韩元（IT之家注：现汇率约合 54.92 亿元人民币）引进两台最新的 High-NA 双级极紫外（EUV）光刻机。
据业内人士透露，三星电子此前仅在京畿道园区引进过一台用于研发的 High-NA EUV 设备，此次引进的机器将用于“产品量产”，尚属首次。三星电子计划在年内引进一台，并在明年上半年再引进一台。
Twin Scan EXE:5200B 是第二款 0.55 数值孔径（NA）或“High-NA”极紫外光刻系统，也是 TWINSCAN EXE:5000 的升级版，在提升对准精度的同时显著提高了生产效率，被视为生产下一代半导体芯片和高性能 DRAM 的必备设备。
相较于 NXE 系统，EXE:5200B 成像对比度提升 40%，分辨率达 8nm，使芯片制造(zào)商(shāng)能(néng)够(gòu)通(tōng)过(guò)单(dān)次(cì)曝(pù)光(guāng)实(shí)现(xiàn)比(bǐ) TWINSCAN NXE 系(xì)统(tǒng)精(jīng)细(xì) 1.7 倍(bèi)的(de)电(diàn)路刻(kè)蚀(shí)，从(cóng)而(ér)将(jiāng)晶(jīng)体(tǐ)管(guǎn)密(mì)度(dù)提(tí)升(shēng)至(zhì)原(yuán)来(lái)的(de) 2.9 倍(bèi)。这(zhè)有(yǒu)助(zhù)于(yú)降(jiàng)低(dī)大(dà)规(guī)模(mó)生(shēng)产(chǎn)中(zhōng)的(de)工(gōng)艺(yì)复(fù)杂(zá)性(xìng)，提(tí)高(gāo)客(kè)户(hù)晶(jīng)圆(yuán)厂(chǎng)的晶圆产量。
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